ZnO是一種寬帶隙Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體,具有良好的光電耦合特性和穩(wěn)定性,在光、電、磁功能集成等新型器件方面可獲得重要應(yīng)用.近來(lái)的研究表明,過(guò)渡金屬摻雜的ZnO基半導(dǎo)體有望成為實(shí)現(xiàn)高居里溫度稀磁半導(dǎo)體的候選材料,是目前研究的熱點(diǎn).總結(jié)了近幾年人們?cè)贔e、Co、Ni、Cu、Mn等過(guò)渡金屬摻雜的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的發(fā)光特性研究結(jié)果,討論了過(guò)渡金屬摻雜后ZnO中觀察到的可見發(fā)光機(jī)制,分析認(rèn)為過(guò)渡金屬摻雜ZnO的可見光發(fā)射主要與這些發(fā)光過(guò)渡金屬引入后所產(chǎn)生的缺陷有關(guān),而紫外發(fā)光峰的變化則與過(guò)渡金屬摻入后ZnO晶體質(zhì)量與禁帶寬度的改變相關(guān).