半導(dǎo)體ZnO晶體生長(zhǎng)及其性能研究進(jìn)展

期刊名字：材料導(dǎo)報(bào)
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論文作者：鞏鋒，臧競(jìng)存，楊敏飛
作者單位：北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
更新時(shí)間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

ZnO晶體是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,激子束縛能為60meV.其禁帶寬度對(duì)應(yīng)紫外光的波長(zhǎng),有望開發(fā)藍(lán)綠光、藍(lán)光、紫外光等多種發(fā)光器件.對(duì)ZnO晶體的生長(zhǎng)方法及研究進(jìn)展做了簡(jiǎn)要的敘述.

論文截圖

上一條：場(chǎng)效晶體管與半導(dǎo)體三極管的區(qū)分

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