氧氣等離子體處理對(duì)AlGaN肖特基接觸的影響

期刊名字：功能材料與器件學(xué)報(bào)
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論文作者：唐廣，郝智彪，錢(qián)可元，羅毅
作者單位：清華大學(xué)深圳研究生院,清華大學(xué)電子工程系
更新時(shí)間：2023-03-21
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

研究了不同的干法刻蝕以及氧氣等離子體處理?xiàng)l件對(duì) AlGaN表面特性的影響.在合適的條件下,氧氣等離子體處理可以使 AlGaN表面發(fā)生氧化, 并使肖特基接觸的反向漏電流降低兩個(gè)數(shù) 量級(jí),反向擊穿電壓也有顯著提高.該方法簡(jiǎn)單易行,可應(yīng)用于制備高性能的 AlGaN/GaN HEMT 器件.

論文截圖

上一條：微波低溫等離子體的棉織物前處理研究

下一條：12kJ等離子體焦點(diǎn)中子源

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