半導(dǎo)體斷路開關(guān)數(shù)值模擬

期刊名字：強(qiáng)激光與粒子束
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論文作者：何鋒，蘇建倉，李永東，劉純亮，孫鑒
作者單位：西安交通大學(xué),西北核技術(shù)研究所
更新時(shí)間：2023-01-29
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

為了研究半導(dǎo)體斷路開關(guān)(SOS)的截?cái)噙^程及其在脈沖功率系統(tǒng)中的工作特性,建立了半導(dǎo)體斷路開關(guān)的電流控制模型,對(duì)p+-p-n-n+摻雜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體斷路開關(guān)進(jìn)行了數(shù)值模擬研究.通過數(shù)值模擬,給出了p+-p-n-n+型半導(dǎo)體斷路開關(guān)在正、反向泵浦過程中的載流子及電場(chǎng)分布,并獲得了電流截?cái)嘈?yīng).計(jì)算結(jié)果表明,半導(dǎo)體斷路開關(guān)的截?cái)噙^程首先發(fā)生在p區(qū).

論文截圖

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