半導(dǎo)體放電管固體場畸變?nèi)姌O開關(guān)

期刊名字：強(qiáng)激光與粒子束
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論文作者：趙越，王傳偉，王凌云，劉宏偉，李洪濤，謝衛(wèi)平
作者單位：中國工程物理研究院流體物理研究所
更新時(shí)間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡介

基于半導(dǎo)體放電管過電壓自擊穿原理,探索設(shè)計(jì)了一種固體場畸變?nèi)姌O開關(guān).該開關(guān)由兩組半導(dǎo)體放電管陣列印刷電路組成,受到觸發(fā)時(shí),一組半導(dǎo)體放電管陣列首先擊穿,另一組陣列繼而過電壓自擊穿,開關(guān)導(dǎo)通.實(shí)驗(yàn)測試了特定幅值觸發(fā)脈沖時(shí)的負(fù)載電壓,初步驗(yàn)證了半導(dǎo)體放電管固體場畸變?nèi)姌O開關(guān)設(shè)計(jì)的可行性.討論了降低開關(guān)導(dǎo)通電感,提高通流能力、工作電壓及運(yùn)行頻率的方法.

論文截圖

上一條：半導(dǎo)體式氣體傳感器信號的非線性修正

下一條：基于PdPc-PANI雜化有機(jī)半導(dǎo)體氣體傳感器研究

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