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半導體激光輔助根管治療的實驗研究 半導體激光輔助根管治療的實驗研究

半導體激光輔助根管治療的實驗研究

  • 期刊名字:浙江醫(yī)學
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  • 論文作者:李萬紅,楊冬曉
  • 作者單位:杭州,浙江大學信息與電子工程學系
  • 更新時間:2023-03-25
  • 下載次數(shù):
論文簡介

目的探討1320 nm波長半導體激光照射對感染根管的輔助治療作用.方法30顆拔除的人離體磨牙,取單根管,經(jīng)常規(guī)根管治療后,隨機分為3組,每組10個根管:對照組用常規(guī)根管治療;實驗1組加激光治療5min;實驗2組加激光治療2次,每次5min,間隔30min.所有牙根管近中遠中縱向剖開,掃描電鏡下觀察根尖1/3區(qū)根管內(nèi)壁形態(tài)變化,比較殘留的玷污層程度.結(jié)果經(jīng)激光治療,管間牙本質(zhì)熔融,牙本質(zhì)小管口縮小或封閉.與對照組比較,玷污層顯著熔融或消失.結(jié)論1320nm波長半導體激光照射有助于消除玷污層,具有輔助根管治療的作用.

論文截圖
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