武大&上交大聯(lián)合攻關(guān)，Nature重磅成果：石墨烯納米條帶制備重大突破！
武大&上交大聯(lián)合攻關(guān)，Nature重磅成果：石墨烯納米條帶制備重大突破！
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3月27日，武漢大學(xué)和上海交通大學(xué)聯(lián)合在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然》（Nature）上發(fā)表了重磅研究成果，題為“Graphene Nanoribbons Grown in hBN Stacks for High-Performance Electronics”。該研究成功實(shí)現(xiàn)了超長(zhǎng)、超窄、單手性石墨烯納米帶在六方氮化硼晶體層間的嵌入式生長(zhǎng)并揭示了其微觀機(jī)制，同時(shí)演示了所生長(zhǎng)的石墨烯納米條帶可用于構(gòu)建高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。
石墨烯納米條帶（GNR）是未來(lái)高性能電子器件與芯片的理想候選材料。然而，現(xiàn)有的制備方法難以滿足未來(lái)先進(jìn)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。
針對(duì)這一難題，武漢大學(xué)歐陽(yáng)穩(wěn)根教授團(tuán)隊(duì)與上海交通大學(xué)史志文教授團(tuán)隊(duì)合作，開發(fā)了一種全新的制備方法， 實(shí)現(xiàn)了GNR在六方氮化硼層間的超長(zhǎng)（亞毫米量級(jí)）、超窄（小于5納米）和單手性生長(zhǎng)（之字形）。
該研究具有以下重要意義：
突破了GNR制備技術(shù)瓶頸，為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量GNR的規(guī)?；苽涞於嘶A(chǔ)；
揭示了GNR在六方0氮化硼層間的生長(zhǎng)機(jī)制，為進(jìn)一步優(yōu)化GNR的性能提供了理論指導(dǎo)；
基于層間GNR制備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)出優(yōu)異的性能，有望在未來(lái)的高性能碳基納米電子器件中扮演重要的角色。
該研究成果得到了科技部、國(guó)家自然科學(xué)基金委、湖北省自然科學(xué)基金委和武漢大學(xué)人才啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)的資助。
論文鏈接：
https://www.nature.com/articles/s41586-024-07243-0
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