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萊斯大學(xué)Nat. Commun.: 近室溫范德華鐵磁體Fe5-δGeTe2中的可逆非易失性電子轉(zhuǎn)換

時間:2024-06-05 來源: 瀏覽:

萊斯大學(xué)Nat. Commun.: 近室溫范德華鐵磁體Fe5-δGeTe2中的可逆非易失性電子轉(zhuǎn)換

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2024年3月28日,Nat. Commun.在線發(fā)表了萊斯大學(xué) Ming Yi 課題組的研究論文,題目為《 Reversible non-volatile electronic switching in a near-room-temperature van der Waals ferromagnet 》。


能夠在具有不同性質(zhì)的兩種態(tài)之間轉(zhuǎn)換的材料對于信息存儲技術(shù)來說是重要的。非易失性相變存儲器利用局部加熱在具有不同電學(xué)性質(zhì)的晶體和非晶態(tài)之間轉(zhuǎn)換。將這種轉(zhuǎn)換擴(kuò)展到兩個拓?fù)渖喜煌南嘈枰诰哂胁煌瑢ΨQ性的兩個晶 相之間進(jìn)行 控制 的非易失性轉(zhuǎn)換。

F e 5 GeTe 2 屬于一類具有較高居里溫度(體相極限T C = 275-330 K)的鐵基金屬范德華鐵磁體。與其他廣泛研究的二維鐵磁體如CrI 3 和Cr 2 X 2 Te 6 (X?=?Ge,Si) 不同 , F e 5 GeTe 2 具有空氣穩(wěn)定性和金屬性 ,因此被認(rèn)為是自旋電子學(xué)應(yīng)用的首選材料。

在此研究中,作者報道了通過退火和淬火程序證明了范德華鐵磁體 F e 5- δ GeTe 2 中兩個密切相關(guān)的晶體結(jié)構(gòu)相的非易失性可逆轉(zhuǎn)換。 這兩個相共享相似的整體晶體結(jié)構(gòu),但僅在Fe空位占據(jù)的有序或無序方面不同,這導(dǎo)致了不同的晶體對稱性 。二次諧波產(chǎn)生(SHG)的測量 結(jié)果表明 , 位點(diǎn)無序相表現(xiàn)出全局反演對稱性,而 位點(diǎn) 有序相破壞了反演對稱性,其強(qiáng)度相差30倍 。值得注意的是,通過角分辨光電子能譜(ARPES)觀察到兩相中的電子結(jié)構(gòu)在性質(zhì)上是不同的。

在位點(diǎn)無序相中,觀察到與保留全局反演對稱性兼容的拓?fù)涔?jié)線 ,而在位點(diǎn)有序相中,觀測到由于反演對稱性破缺而導(dǎo)致的拓?fù)浜啿⑿越獬约芭c由位點(diǎn)有序相形成二分晶格(BCL)的量子相消干涉兼容的平帶。這項(xiàng)研究工作不僅證明了使用鐵基二維材料中的位點(diǎn)有序作為調(diào)節(jié)旋鈕來設(shè)計(jì)和控制關(guān)聯(lián)拓?fù)湎嗔钊伺d奮的潛力,而且揭示了這類二維材料作為一種相變材料在非易失性自旋電子學(xué)、存儲器或非線性光學(xué)應(yīng)用中的潛力。


圖1  F e 5- δ GeTe 2 中的 相可調(diào)性

圖2  慢冷位點(diǎn)無序相 的拓?fù)涔?jié)線

圖3 淬火位點(diǎn)有序相中的平帶

圖4 Fe(1)位點(diǎn)有序?qū)Ψ囱輰ΨQ性和量子相消干涉的影響


論文鏈接
Wu, H., Chen, L., Malinowski, P. et al. Reversible non-volatile electronic switching in a near-room-temperature van der Waals ferromagnet. Nat. Commun. , 2024 , 15, 2739. https://doi.org/10.1038/s41467-024-46862-z

【其他相關(guān)文獻(xiàn)】

[1] Deng, Y., Yu, Y., Song, Y. et al. Gate-tunable room-temperature ferromagnetism in two-dimensional F e 3 GeTe 2 . Nature , 2018 , 563, 94–99. https://doi.org/10.1038/s41586-018-0626-9
[2]  Kim, K., Seo, J., Lee, E. et al. Large anomalous Hall current induced by topological nodal lines in a ferromagnetic van der Waals semimetal. Nat. Mater ., 2018 , 17, 794–799. https://doi.org/10.1038/s41563-018-0132-3
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