Origin繪圖：共X軸Stack繪制分波態(tài)密度與繪圖中的科學(xué)構(gòu)思
圖1 原圖
圖1的表現(xiàn)力是很差的，很難在短時間內(nèi)一目了然地看出其結(jié)果。
在上一篇文章中，譚編提到了“數(shù)據(jù)繪圖的多維度思考”，圖1考察了能量、PDOS、樣品（s,p,d軌道）、狀態(tài)（吸附前后兩種情況）四個維度。
對于同一個二維坐標(biāo)系，一般能清晰地表達(dá)3個維度（橫坐標(biāo)、縱坐標(biāo)、樣品）。
圖1可有兩種優(yōu)化思路：
第一種：相同狀態(tài)的不同樣品
吸附前和吸附后2種狀態(tài)（即2張圖），每張圖中布置s,p,d3個樣品的曲線。因?yàn)樾枰獙Ρ妊芯繖M軸參量（E/eV），所以設(shè)置這2張圖共X軸，可采用共X軸Stack疊圖。
第二種：同一樣品的不同狀態(tài)
考察不同樣品（s,p,d軌道）在吸附前后2種狀態(tài)下的變化（即3張圖），同樣，這3張圖也需要共X軸。
到底哪種思路最佳？譚編現(xiàn)在評價為時過早，待您看完下文，對比一下這兩種思路最終的效果圖，自見分曉。
下面以第一種思路為例，詳細(xì)解釋修改過程。
第一步：數(shù)據(jù)準(zhǔn)備
數(shù)據(jù)表由吸附前的3種軌道(s,p,d)數(shù)據(jù)(X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3)，以及吸附后的相應(yīng)數(shù)據(jù)(X4,Y4)、(X5,Y5)、(X6,Y6)。
第二步：初步繪圖
按下Ctrl不放，鼠標(biāo)移動到數(shù)據(jù)表頂端的標(biāo)題行，向右拖動選中X1,Y2，松開鼠標(biāo)（但是不要放開Ctrl鍵），在X4,Y4標(biāo)題行向右再次拖動選擇X4,Y4，然后點(diǎn)擊下方第5個按鈕，在彈出菜單中選擇“Stack...”繪圖。
圖2 多選數(shù)據(jù)初步繪圖
第三步：補(bǔ)全數(shù)據(jù)
經(jīng)過上一步的操作得到2個圖層的Stack疊圖（圖3右邊小圖），每個圖層中分別繪制了吸附前后兩個狀態(tài)的第一條曲線。
圖3 拖放數(shù)據(jù)補(bǔ)全曲線
點(diǎn)擊圖層1，然后在吸附前的數(shù)據(jù)標(biāo)題行向右拖動鼠標(biāo)多選X2,Y2,X3,Y3，然后將其拖放（怎么拖動數(shù)據(jù)，在“編輯之譚”前面的文章中都有介紹）到圖層1中，即可補(bǔ)全吸附前的其他2個樣品（p,d軌道）。
按照同樣的方法，補(bǔ)全圖層2（吸附后）的曲線，最后得到圖4。
圖4 初步效果圖
得到的圖4并不簡潔，譚編個人認(rèn)為，還是需要精修：關(guān)閉上方、右方的刻度和刻度值，得到圖5。
圖5 簡化的效果圖
圖5中縱軸刻度值有擁擠、重疊現(xiàn)象。兩圖的縱軸范圍均為[0，2]，刻度分度均為0.5。A圖的縱軸下界0.0和B圖的縱軸上界2.0重疊。
圖5還犯了一大忌：曲線疊軸，曲線不能與坐標(biāo)軸重疊。
怎樣避免曲線疊軸？
譚編給大家一個普遍適用的軸范圍調(diào)整原則：
適當(dāng)（調(diào)幅10%）拓寬上、下界。假設(shè)縱軸范圍為[0,y]，調(diào)整幅度為±y/10。當(dāng)然這里的y應(yīng)該理解為整個y軸高度，例如坐標(biāo)軸范圍[200，1000]的y=1000-200=800，則調(diào)整幅度為±800/10=80，及縱軸范圍改為[120，1080]。
這里的調(diào)幅為±0.2，將下界0-0.2，上屆2+0.2，即調(diào)整為[-0.2，2.2]，如圖6所示，A圖的縱軸已經(jīng)更改。
圖 6 刻度重疊、曲線疊軸的解決辦法
采用圖6的方法，修改B圖，最終效果如圖7所示。
圖7 思路1的最終效果
對于第二種思路，修改方法類似，首先多選吸附前的6列數(shù)據(jù)（X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3），點(diǎn)擊Stack工具可繪制出3層疊圖。然后分別點(diǎn)擊圖層1、圖層2、圖層3，分別將（X4,Y4）、(X5,Y5)、(X6,Y6)拖入其中。參照上述方法，可以得到最終效果如圖8所示。
圖8 思路2的最終效果
對比兩種思路繪圖（圖9）的效果發(fā)現(xiàn)，按照吸附前后對比不同的軌道數(shù)據(jù)，顯然比較對象（s,p,d軌道）各不相同，不具有可比性（圖9A）。而分別對比每個軌道在吸附前后的情況（圖9B），是最科學(xué)的。
圖9 兩種思路繪圖效果的對比